Open Access
Numéro
PlastOx 2007
2009
PlastOx 2007 - Mécanismes et Mécanique des Interactions Plasticité - Environnement
Page(s) 277 - 286
DOI https://doi.org/10.1051/ptox/2009020
Publié en ligne 17 mars 2009
PlastOx 2007 (2009) 277-286
DOI: 10.1051/ptox/2009020

Les siliciures de métaux de transition en microélectronique : propriétés mécaniques et contraintes induites au cours de la formation en phase solide

O. Thomas

Aix-Marseille Université, IM2NP et CNRS, IM2NP (UMR 6242), Faculté des Sciences et Techniques, Campus de Saint-Jérôme, Avenue Escadrille Normandie Niemen, Case 262, 13397 Marseille Cedex, France


Publié en ligne le 17 mars 2009

Résumé
Depuis le début des années 1980, des siliciures de métaux de transition (WSi2, TiSi2, CoSi2, NiSi) sont utilisés comme matériaux de contact et d'interconnection dans les dispositifs de la microélectronique. Ils sont formés par diffusion réactive entre un film mince de métal et le silicium. Des contraintes importantes se développent lors de la formation de la nouvelle phase intermétallique. Ces contraintes peuvent être analysées expérimentalement par mesures de courbure et diffraction des rayons X in situ. Les études expérimentales montrent que les paramètres importants qui contrôlent le développement de ces contraintes sont : (i) la variation de volume molaire. (ii) la cinétique de croissance. (iii) le mécanisme de relaxation des contraintes. Les modèles existants permettent une description phénoménologique de l'évolution des contraintes mais une compréhension physique plus fine nécessite la connaissance des propriétés mécaniques des couches très minces de siliciures.



© EDP Sciences 2009

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